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NTLJS1102PTBG相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTLJS1102PTBG

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：最新
  • 描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）8V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.7A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.2V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）720mV @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）25nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±6V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1585pF @ 4V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）700mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-WDFN（2x2）
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘

其它信息

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