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FDMQ8203相关型号
  • 3N246

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBPM

  • 3N247

    BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A KBPM

  • 3N248

    BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A KBPM

  • 3N249

    BRIDGE RECT 1P 400V 1.5A KBPM

  • 3N250

    BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM

  • 3N251

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

  • 3N252

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBPM

  • 3N253

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBPM

ON安森美热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FDMQ8203

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 批号:最新
  • 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列GreenBridge™ PowerTrench®
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)100V,80V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.4A,2.6A
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)110 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)210pF @ 50V
  • 功率 - 最大值2.5W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳12-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装12-MLP(5x4.5)

其它信息

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